設計要點

線材結構

導體採用平行結構，並有輕微的旋轉扭曲，這種製程技術能夠有效地抵禦EMI和RFI干擾。

(代號A-F詳細說明如下)

A)導體

主要導體為粗達4.0sqmm的鍍銀單結晶無氧銅(Silver plated Ohno continuous cast copper)，比一般的OFC無氧銅純度高出許多，並經過-196° C的深冷處理(DCT, Deep Cryogenic Treatment)，透過這樣的幾合結構與冶金技術，Evo3 Ascension的傳導性極為優越。

B)絕緣層

為了得到接近真空的介電常數，IsoTek發明了一種虛擬空氣電介質(VAD, Virtual Air Dielectric)，其介電系數僅為1.0548，通過最小的導體接觸和使用FEP(鐵氟龍)橋來實現這種空氣屏障，FEP具有非常低的介電常數、非常高的抗應力開裂性和低摩擦係數，本身就是一種非常出色的絕緣材料。不管是抗高溫還是電氣絕緣方面，FEP 都是安全考量之絕緣材料首選。

C)填充物

每個導體周圍加入了透明FEP(鐵氟龍)空氣管以維持低介電常數與線材結構的穩定性。

D)包裹層

每股導體均包覆在聚酯薄膜(Mylar)中可以穩固線材結構，並進一步強化屏蔽與隔離RFI。

E)屏蔽層

接地的 OFC無氧銅隔離網屏蔽可以有效抑制RFI，從而防止共模雜訊影響火線跟中性線導體。

F)外被覆

採用PVC作為外批覆層，具有高度的柔韌性與機械強度。